Новое поступление
Характеристики
*Текущая стоимость 4319.88 уже могла изменится. Что бы узнать актуальную цену и проверить наличие товара, нажмите "Добавить в корзину"
Месяц | Минимальная цена | Макс. стоимость | Цена |
---|---|---|---|
Aug-18-2025 | 5485.98 руб. | 5595.86 руб. | 5540 руб. |
Jul-18-2025 | 4449.92 руб. | 4538.19 руб. | 4493.5 руб. |
Jun-18-2025 | 5399.68 руб. | 5507.26 руб. | 5453 руб. |
May-18-2025 | 5356.11 руб. | 5463.44 руб. | 5409.5 руб. |
Apr-18-2025 | 4276.34 руб. | 4362.86 руб. | 4319 руб. |
Mar-18-2025 | 5269.41 руб. | 5374.27 руб. | 5321.5 руб. |
Feb-18-2025 | 5226.8 руб. | 5331.88 руб. | 5278.5 руб. |
Jan-18-2025 | 5183.91 руб. | 5287.23 руб. | 5235 руб. |
Описание товара
Brand NameTRANSCENDOriginMainland ChinaTypeInternalStyleSSDSizeM.2 2280ApplicationLaptopInterface TypeM.2 2280Cooling FinNoRGBnoControllerSilicon Motion sm2262enNand Flash TypeTLCBus TypePCIe 3.0x44KB Random Write360000 IOPSMax Sequential Write2500 MB/s4KB Random Read190000 IOPSTransport ProtocolNVMEMTBF1.5 million hoursMax Sequential Read3500 MB/sMeasurement unitpiece/piecesSold insell_by_pieceEach pack1Package weight0.050Package size - length (cm)13Package size - width (cm)8Package size - height (cm)3Volume Drive512 GBForm factor2280Physical interfacePCI-E 3.x x4Key M.2 connectorMNVMeThere areControllerSilicon Motion sm2262enType of memory chipsNANDNumber of bits per cell3 bit TLCMemory structure3D NANDDRAM bufferThere areVolume DRAM buffer512 MBMaximum serial recording speed2500 MB/sMaximum serial reading speed3500 MB/sArbitrary recording speed 4 KB files (qd32)360000 IOPS4 KB random read speed files (qd32190000 IOPSBandwidth interface32 Gb/sMaximum recording resource (TBW)1100 TBDWPD1.18Hardware encryption dataNoNot availableNot available
SSD M.2 накопитель Transcend MTE220S (TS512GMTE220S) предназначен для модернизации некоторых моделей ноутбуков, а также стационарных компьютеров.
Данная модель отличается скоростью чтения и записи файлов, которая достигает 3500 МБ/с и 2500 МБ/с, благодаря чему обеспечивается высокая скорость работы как отдельных приложений, так и всей системы в целом.
Это обусловлено использованием памяти типа NAND с объемной структурой и производительного контроллера Silicon Motion SM2262EN.
Также данная модель отличается большим ресурсом работы, который достигает 1100 TBW.
Среднее время между отказами составляет 1.5 млн часов.
Характеристики
Объем накопителя | 512 Гб |
Форм-фактор | 2280 |
Физический интерфейс | PCI-E 3.x x4 |
Ключ M.2 разъема | M |
NVMe | Есть |
Контроллер | Silicon Motion SM2262EN |
Тип чипов памяти | NAND |
Количество бит на ячейку | 3 бит TLC |
Структура памяти | 3D NAND |
DRAM буфер | Есть |
Объем DRAM буфера | 512 Мб |
Максимальная скорость последовательной записи | 2500 Мб/с |
Максимальная скорость последовательного чтения | 3500 Мб/с |
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) | 360000 IOPS |
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32 | 190000 IOPS |
Пропускная способность интерфейса | 32 Гб/с |
Максимальный ресурс записи (TBW) | 1100 Тб |
DWPD | 1.18 |
Аппаратное шифрование данных | Нет |
Смотрите так же другие товары: