H5TQ4G63AFR PBC FBGA96 256*16 DDR3 | Электроника

H5TQ4G63AFR PBC FBGA96 256*16 DDR3 | Электроника

• Памяти компьютера
• потребительские Памяти
• графической Памяти
• мобильный Памяти
• NAND Flash
• CMOS Датчик Изображения
• EOL Продукты

внедрение 20-нм класса 4 ГБ DDR4 SDRAM

• SK hynix представляет 20-нм класса DDR4 SDRAM и модуль памяти семьи, лучше всего подходит для всех серверных сегментах, таких как предприятия, высокого класса и масштабного сервер, а также высокого класса настольных.
• DDR4 вводит новые и усовершенствованные функции, делая DRAM DDR4 более способными, чем ранее поколений в ключевых атрибутов.
• наши DDR4 RDIMM 2Rx4 16 ГБ может сэкономить 38% энергии по сравнению с DDR3L в 2 Dimm на канал.
• DDR4 LRDIMM 4Rx4 32 ГБ, как ожидается, обеспечить стабильную работу за 1600Mbps.

наслаждаясь высокой скорости в различных средах с Потребительскими DDR3SDRAM

• потребительские DDR3 (1.5 В/1.35 В) потребляет малой системы власти, чем DDR2 (1.8 В) с использованием низкий рабочее напряжение.
• SK hynix гарантирует до 2133 Мбит/С для поддержки высокоскоростных применений, как Цифровое ТЕЛЕВИДЕНИЕ, Set-top box, blu-ray плеер, автомобильной, и Сети, и т. д.
• SK hynix не только нормальная рабочая температура (0 ° C ~ 85 ° C) но и ЭТО промышленные Температура:-40 ° C ~ 95 ° C) и В (автомобильная Температура:-40 ° C ~ 105 ° C)

создание новых парадигм с инновационными технологиями

• HBM (высокая Пропускная Способность Памяти) это новое будущее памяти с использованием TSV и Широкий IO технологии для того, чтобы удовлетворить требование, что увеличилось в геометрической прогрессии.
• SK hynix повысит портфель продуктов с HBM технологии для диверсификации в различных приложений, таких как Графическая карта, сеть/HPC и PC/Игровой консоли.

революционный путь mobile DRAM

• WIO2 (Wide IO 2) является сильным кандидатом будущих mobile DRAM достижения высокой пропускной способностью (51.2 ГБ/сек., до 68 ГБ/сек.), advanced power efficiency, и малым форм-фактором.

части Нет.	ден.	Org.	Vol	скорость	мощность	PKG	Статус продукта	RoHS
H9TKNNN2GDAPLR	2 ГБ	x32	1.8V-1.2 В-1.2 В	Y/D/G	Low Power	168	массовое производство	O
H9TKNNN4GDAPLR	4 ГБ	x32	1.8V-1.2 В-1.2 В	G	Low Power	168	массовое производство	O