Avexir DDR4 памяти Оперативная память Raiden серии 4GBx2/8GBx2 Напряжение 1 2 В/1 35 В 2400 мГц/2666



Сохраните в закладки:

Цена:RUB
*Стоимость могла изменится

Количество:


Новое поступление

Характеристики

Avexir DDR4 памяти Оперативная память Raiden серии 4GBx2/8GBx2 Напряжение 1 2 В/1 35 В 2400 мГц/2666

История изменения цены

*Текущая стоимость уже могла изменится. Что бы узнать актуальную цену и проверить наличие товара, нажмите "Добавить в корзину"

Месяц Минимальная цена Макс. стоимость Цена
Mar-18-2026 0.99 руб. 0.26 руб. 0 руб.
Feb-18-2026 0.41 руб. 0.21 руб. 0 руб.
Jan-18-2026 0.45 руб. 0.56 руб. 0 руб.
Dec-18-2025 0.40 руб. 0.71 руб. 0 руб.
Nov-18-2025 0.78 руб. 0.24 руб. 0 руб.
Oct-18-2025 0.13 руб. 0.90 руб. 0 руб.
Sep-18-2025 0.16 руб. 0.56 руб. 0 руб.
Aug-18-2025 0.50 руб. 0.69 руб. 0 руб.
Jul-18-2025 0.14 руб. 0.32 руб. 0 руб.

Описание товара

Avexir DDR4 памяти Оперативная память Raiden серии 4GBx2/8GBx2 Напряжение 1 2 В/1 35 В 2400 мГц/2666Avexir DDR4 памяти Оперативная память Raiden серии 4GBx2/8GBx2 Напряжение 1 2 В/1 35 В 2400 мГц/2666Avexir DDR4 памяти Оперативная память Raiden серии 4GBx2/8GBx2 Напряжение 1 2 В/1 35 В 2400 мГц/2666Avexir DDR4 памяти Оперативная память Raiden серии 4GBx2/8GBx2 Напряжение 1 2 В/1 35 В 2400 мГц/2666Avexir DDR4 памяти Оперативная память Raiden серии 4GBx2/8GBx2 Напряжение 1 2 В/1 35 В 2400 мГц/2666Avexir DDR4 памяти Оперативная память Raiden серии 4GBx2/8GBx2 Напряжение 1 2 В/1 35 В 2400 мГц/2666


Avexir Raiden серии 4 ГБ * 2 DDR4-2666/8 ГБ * 2 DDR4-2400

/Роге 8 ГБ * 2 DDR4-2666/8 ГБ * 2 DDR4-3000

Avexir DDR4 памяти Оперативная память Raiden серии 4GBx2/8GBx2 Напряжение 1,2 В/1,35 В 2400 мГц/2666 мГц PC4-21300 мГц полоса пропускания 3000 Dual Memory ram s

Параметры:

Скорость
(МГц)
DDR4-2666

Ёмкость
(GB)

4 ГБ * 2

Сроки
(CL-tRCD-tRP-tRAS)

15-15-15-35

Пропускная способность
(МБ/с)

PC4-21300

Напряжение
(V)

1,2 В

Светодио дный
(Цвет)

Синий/зеленый

CL
(Йдз)

15 циклов

 

 Ряд Время цикла
(TRCmin)

  

58нс (мин.)

Обновления toActive/обновления
Время команды (tRFCmin)

364ns

RowActive Time (трасмин)

31нс (мин.)

Мощность

1,800 Вт (рабочий модуль на модуль)

ULRating

94 В-0

Рабочая Температура

0℃ до 85℃

Для хранения Температура

-55°с до + 100℃  

Фотографии:

DDR42666-8G-2RD_012666-8G-2RD_022666-8G-2RD_032666-8G-2RD_042666-8G-2RD_052666-8G-2RD_062666-8G-2RD_072666-8G-2RD_0933-1677-18 - 9 - 10 -


Смотрите так же другие товары: