Монокристаллическая Кремниевая Вафля Si Двусторонняя полировка используется для



Сохраните в закладки:

Цена:486,35 - 5 567,33RUB
*Стоимость могла изменится

Количество:


Новое поступление

Pyboard Store

Pyboard Store

Магазина Pyboard Store работает с 17.05.2020. его рейтинг составлет 92.71 баллов из 100. В избранное добавили 773 покупателя. Средний рейтинг торваров продавца 4.7 в продаже представленно 3309 наименований товаров, успешно доставлено 926 заказов. 398 покупателей оставили отзывы о продавце.

Характеристики

Монокристаллическая Кремниевая Вафля Si Двусторонняя полировка используется для

История изменения цены

*Текущая стоимость 486,35 - 5 567,33 уже могла изменится. Что бы узнать актуальную цену и проверить наличие товара, нажмите "Добавить в корзину"

Месяц Минимальная цена Макс. стоимость Цена
Mar-17-2026 578.80 руб. 607.64 руб. 592.5 руб.
Feb-17-2026 573.42 руб. 602.82 руб. 587.5 руб.
Jan-17-2026 481.36 руб. 505.19 руб. 493 руб.
Dec-17-2025 564.96 руб. 592.46 руб. 578 руб.
Nov-17-2025 491.4 руб. 516.28 руб. 503.5 руб.
Oct-17-2025 554.35 руб. 582.69 руб. 568 руб.
Sep-17-2025 549.36 руб. 576.56 руб. 562.5 руб.
Aug-17-2025 544.76 руб. 571.82 руб. 557.5 руб.
Jul-17-2025 539.2 руб. 566.25 руб. 552.5 руб.

Описание товара

Монокристаллическая Кремниевая Вафля Si Двусторонняя полировка используется дляМонокристаллическая Кремниевая Вафля Si Двусторонняя полировка используется для


Моднявка = ckeditor

Двухсторонний полировальный образец может использоваться в качестве инфракрасных линз, оконных деталей и других оптических элементов.

Параметры: 6,25 × 6,25 × 0,5 мм, двусторонняя полировка (зеркало).

Особенности: небольшой образец, более доступный

Стиль роста: прямая тяга

Ориентация: [111] / [100]

Плоскость: <1 микрон

Сопротивление: 0,001-50 Ом. См

Ra по уровню поверхности: <0,5 нм

Применение:

1. PVD/CVD покрытие пленки в качестве подложки; 2.

2. Используется в качестве основы для XRD, SEM, atomic force, ir и флуоресцентного анализа;

3. Перевозчик экспериментального образца синхротронного излучения;

4. Подложка для роста молекулярного пучка эпитакси;

5, процесс полупроводниковой литографии и так далее.


Смотрите так же другие товары: